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詳細介紹
半導體技術的一個重要目標是減少所有構成半導體器件中，晶體和非晶層中固有的和因生產工藝引起的缺陷。雜質、晶界、晶面等引起的缺陷會導致陷阱的產生，陷阱可以俘獲自由電子和空穴。即使濃度非常低，陷阱也能ji大地改變半導體器件的性能。數字化深能級瞬態譜儀DLTS是現在一種非常通用的技術，可用于測定與陷阱相關的幾乎所有參數，包括密度、熱界面（熱發射率）、能級和空間剖面等。
主要特點
●快速而靈敏地檢測半導體中的電活性缺陷
●高靈敏度：體陷阱檢測限< 109 atoms/cm3；
●具有低至3微秒的快速響應時間
●具有對過載的快速恢復能力以及對泄露電流的高免疫能力
●快速溫度掃描能力：每8分鐘100K且不影響靈敏度
●高達60dB的背景電容抑制能力度
●數字采集包括：16位分辨率，1毫秒的采樣增量，50倍的時間跨度，和不限平均點數的平均瞬態
●單次溫度掃描可同時記錄不同發射率窗下的8幅譜圖
數字化深能級瞬態譜儀DLTS主要應用
●PN結 ●肖特基二極管
●MOS管 ●LED
●場效應管 ●半導體激光器
●高電阻率半絕緣材料
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