高溫環(huán)境XRD是進(jìn)行X射線分析的重要設(shè)備

　　高溫環(huán)境XRD是進(jìn)行X射線分析的重要設(shè)備，主要由X射線發(fā)生器、測(cè)角儀(測(cè)量角度2θ的裝置)、記錄儀(測(cè)量X射線強(qiáng)度的計(jì)數(shù)裝置)和水冷卻系統(tǒng)組成。新型的衍射儀還帶有條件輸入和數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)。主要由高壓控制系統(tǒng)和X光管組成，它是產(chǎn)生X射線的裝置(產(chǎn)生X射線的裝置)，由X光管發(fā)射出的X射線包括連續(xù)X射線光譜和特征X射線光譜，連續(xù)X射線光譜主要用于判斷晶體的對(duì)稱性和進(jìn)行晶體定向的勞埃法，特征X射線用于進(jìn)行晶體結(jié)構(gòu)研究的旋轉(zhuǎn)單體法和進(jìn)行物相鑒定的粉末法。

　　高溫環(huán)境XRD使用：

　　（1）當(dāng)材料由多種結(jié)晶成分組成，需區(qū)分各成分所占比例，可使用XRD物相鑒定功能，分析各結(jié)晶相的比例。

　　（2）很多材料的性能由結(jié)晶程度決定，可使用XRD結(jié)晶度分析，確定材料的結(jié)晶程度。

　　（3）新材料開發(fā)需要充分了解材料的晶格參數(shù)，使用XRD可快捷測(cè)試出點(diǎn)陣參數(shù)，為新材料開發(fā)應(yīng)用提供性能驗(yàn)證指標(biāo)。

　　（4）產(chǎn)品在使用過程中出現(xiàn)斷裂、變形等失效現(xiàn)象，可能涉及微觀應(yīng)力方面影響，使用XRD可以快捷測(cè)定微觀應(yīng)力。

　　（5）納米材料由于顆粒細(xì)小,極易形成團(tuán)粒,采用通常的粒度分析儀往往會(huì)給出錯(cuò)誤的數(shù)據(jù)。采用X射線衍射線線寬法(謝樂法)可以測(cè)定納米粒子的平均粒徑。

　　高溫環(huán)境XRD通過對(duì)材料進(jìn)行X射線衍射，分析其衍射圖譜，獲得材料的成分、材料內(nèi)部原子或分子的結(jié)構(gòu)或形態(tài)等信息的研究手段。是研究物質(zhì)的物相和晶體結(jié)構(gòu)的主要方法。當(dāng)某物質(zhì)(晶體或非晶體)進(jìn)行衍射分析時(shí),該物質(zhì)被X射線照射產(chǎn)生不同程度的衍射現(xiàn)象,物質(zhì)組成、晶型、分子內(nèi)成鍵方式、分子的構(gòu)型、構(gòu)象等決定該物質(zhì)產(chǎn)生衍射圖譜。